模块

UH110-UFM2

模块

UH110-UFM2

支持LDPC ECC纠错与校正机制
闪存坏区管理
全区平均抹写技术 (Global Wear Leveling)
闪存转换层: Page Mapping
S.M.A.R.T. 功能
Smart Read Refresh™ 技术
SLC-liteX 技术

工业级USB模块：UH110-UFM2

Apacer宇瞻科技 UH110-UFM2 是高效能嵌入式闪存模块，为取代传统IDE硬盘而设计。作为嵌入式闪存储存设备，UH110-UFM2 兼容于USB 2.0规格，并可向下兼容USB 1.1规格。UH110-UFM2 采用3D NAND闪存，最大支持容量高达64GB，具备优于2D NAND的省电效率，可应用在桌面式、便携计算机系统和工业计算机系统中常见的标准嵌入式USB接头。

在可靠度方面，UH110-UFM2 采用先进LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎与SLC-liteX 技术，可有效提升SSD耐用度与数据可靠度，提供高达30,000 次的写入/抹除次数(P/E cycles)。

此外，UH110-UFM2 采用最新的Page Mapping 闪存管理技术，并具有各种实用功能，包括省电模式、平均抹写技术(Wear Leveling)、闪存坏区管理、断电管理、S.M.A.R.T.与Smart Read Refresh™技术。

UH110-UFM2 非常适合于嵌入式闪存储存应用，提供全新且扩充的功能，以及更具成本效益的设计、更好的效能和增强的可靠度。

规格表

型号

UH110-UFM2
介面

USB 2.0
接口

10-pin USB (2 x 5 header)
板型

USB Disk Module
NAND 颗粒

3D TLC
容量

32GB~64GB
读取速度(MB/sec)

Up to 37
写入速度(MB/sec)

Up to 32
ECC纠错功能

Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
IOPS (4K 随机写入)

400
标准作业温度(°C)

0 ~ + 70
最高作业温度(°C)

-40 ~ + 85
放置温度(°C)

-55 ~ + 100
外壳

No
硬件写保护

Optional
螺丝孔

Yes
冲击耐力

Operation: 50G/11ms
(compliant with MIL-STD-202G)
Non-operation: 1500G/0.5ms
(compliant with MIL-STD-883K)
震动耐力

Operation:7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation:4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
电压

5.0 V ± 5%
用电量

Active mode: 95 mA; Idle mode: 75 mA
尺寸 (L x W x H )

37.80 x 26.65 x 8.01 mm
MTBF (小时)

>3,000,000