DDR4 抗硫化 SODIMM
抗硫化 SODIMM
DDR4 抗硫化 SODIMM
- On-DIMM热传感器：无
- 封装：260PIN小型双列直插式内存模块（SO-DIMM）
- PCB：高度30.0mm，间距0.50 mm（引脚）
- VDDQ = 1.2V（1.14V至1.26V）
- 平均刷新周期
- 7.8us于0℃≤TC≤85℃
- 3.9 us于85℃≤TTC≤95℃
- 无铅（符合RoHS）
- 无卤
- PCB：30μ金手指
- 抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利)
- 涂层保护/底部填充 (可选)
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简介 |
防硫化内存主要用于暴露在高度污染的环境中的设备，例如 汽车，军工，医疗，运输，网络和户外电子产品以及用于高浓度硫磺气体等的电子设备。火山，温泉和矿业。空气中含硫的颗粒可以容易地与电极中使用的银反应形成不导电的硫化银。 随着硫化物的增加，电阻值也会增加，最终导致断路。为了解决电阻器硫化的问题，宇瞻开发出了世界上第一个防硫化内存给高含硫的环境中使用，而这一创新设计现已获得专利。
规格表
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型号DDR4 Anti-Sulfuration SODIMM
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模块类型Anti-Sulfuration SODIMM
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内存技术DDR4
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速度2133/2400/2666/2933/3200
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密度4GB/8GB/16GB/32GB
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电压1.2v
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针数260-Pin
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带宽64-Bit
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印刷电路板高度1.18"
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工作温度 (°C)TC=0℃ to 85℃
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增值技术Anti-Sulfuration / 30μ Gold Finger
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推荐应用Defense / Factory Automation / Healthcare / Internet of Things / Server & Networking / Transportation